近日，存储芯片行业迎来重要动态，SK海力士正积极推进一项面向端侧人工智能（AI）领域的新型内存技术——3D堆叠DRAM，并已启动相关工程师的招聘工作，同时与美国客户携手开展芯片方案的联合设计。
3D堆叠DRAM技术的核心创新在于，它将DRAM直接堆叠在逻辑芯片之上。相较于传统的PoP封装方式，这种设计能够大幅缩短芯片之间的连接距离，增加数据传输通道的数量。由此带来的直接效果是带宽显著提升、延迟大幅降低，同时还能优化功耗表现并提高空间利用率，为端侧AI设备提供更高效的内存解决方案。
从SK海力士发布的招聘信息中可以发现，该公司目前正在美国圣何塞招募3D堆叠DRAM-on-Logic设计工程师。这些工程师的主要职责是与美国客户紧密合作，主导相关逻辑芯片的联合设计工作，以确保新型内存技术能够更好地满足客户需求。
业内人士分析指出，SK海力士的这一举措表明，其已不再局限于前期的技术储备阶段，而是开始为技术的实际落地应用提前布局。端侧AI设备对内存性能提出了更为严苛的要求，随着生成式AI逐步渗透到智能手机、可穿戴设备、机器人等终端设备中，本地运行AI模型需要更高带宽、更低功耗以及更紧凑的芯片方案，传统的封装方式已经难以满足这些日益增长的需求。
在众多应用场景中，手机处理器被普遍认为是3D堆叠DRAM技术最有希望率先实现落地的领域之一。手机处理器作为终端设备的核心计算芯片，苹果、高通等厂商一直在推动更先进的工艺和封装技术，以提升端侧AI的处理能力。因此，3D堆叠DRAM技术与手机处理器的结合具有天然的优势和广阔的应用前景。
值得一提的是，SK海力士此前凭借HBM在AI服务器内存市场占据了重要地位。如今，该公司又将目光投向了面向端侧AI的3D堆叠DRAM，这一战略布局意味着其正提前抢占HBM之后新一轮AI内存竞争的先机。
今年4月，SK海力士管理层曾公开表示，除了定制化HBM之外，公司还在积极推进高带宽闪存HBF以及3D堆叠DRAM-on-Logic等新方案，旨在针对不同类型的AI负载提供更合适的存储产品，以满足市场的多样化需求。
可以看出，HBM主要应用于数据中心AI领域，而3D堆叠DRAM则将目标瞄准了智能手机、可穿戴设备和机器人等端侧AI市场。此次SK海力士启动相关人才招聘，无疑释放出一个强烈信号：下一代AI内存的竞争，正从云端向终端设备延伸。
