英特尔首席执行官陈立武在JP摩根技术会议上宣布，公司正全力推进新一代芯片制造技术的研发进程，已启动“10A”和“7A”工艺的预研工作。这两项技术预计于2030年代进入市场，旨在推动芯片设计向更微型化方向发展。陈立武强调，半导体行业头部客户更关注企业的长期技术布局，而非单一产品性能，因此英特尔选择提前布局数年后才能实现商业化的工艺节点。
当前英特尔的研发重心仍聚焦于即将面世的14A工艺。据陈立武透露，该工艺的开发进度符合预期，早期版本的工艺设计套件（PDK）已向客户开放，更成熟的版本将于10月交付外部合作伙伴。尽管英特尔未披露具体客户名称，但已有多家企业表达合作意向。按照规划，14A工艺将于2028年启动风险试产，2029年实现大规模量产，这一时间表与主要竞争对手台积电的同类技术推出计划基本同步。
14A工艺的显著特征是首次在工业规模上采用ASML的高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻系统。陈立武指出，引入这项新技术面临多重挑战，除光刻机本身外，还需配套开发新型光掩模、材料及测量方法。英特尔正与ASML等合作伙伴紧密协作，确保技术按期达到量产标准。ASML首席执行官此前透露，首批采用High-NA EUV技术制造的测试芯片将在未来几个月内完成。
与台积电的技术路径形成对比的是，英特尔在14A工艺中引入了芯片背面供电技术。这项创新尤其适用于高性能数据中心处理器，通过优化电源传输路径可显著提升能效比。陈立武表示，背面供电技术的集成需要重新设计芯片架构，但将为未来数据中心计算提供关键性能支撑。
