【发现者网】9月18日消息，据行业消息人士透露，英伟达公司正在积极探讨与三星合作，计划采用3纳米GAA工艺制程推出新一代显卡。这一举措预计将于2025年实现量产，为游戏玩家和电脑爱好者带来更强大的性能和效率。
据悉，下一代英伟达旗舰显卡RTX 5090将采用这一3纳米工艺，有望在明年年底面世。代号为"Ada Lovelace"的RTX 40系列显卡将在性能和制程上迈出重要一步，其晶体管数量将超过150亿，密度达到每平方毫米3亿个，核心时钟频率将超过3 GHz，总线密度将达到512位。
根据早前外媒的消息，RTX 5090将包含144组SM单元，合计18432个CUDA核心。此外，显卡还将配备96MB的二级缓存，并支持GDDR7显存，拥有384位宽，同时支持PCIe 5.0 x16接口，为用户提供更流畅的游戏体验。
为了有效应对新一代显卡的性能和发热挑战，微星公司在台北Computex电脑展上展示了下一代英伟达RTX旗舰显卡的散热设计。动态双金属鳍片、六条贯穿式纯铜热管以及大面积铝质鳍片中嵌入的铜片等创新设计，进一步提升了散热效果，确保显卡在高负载情况下保持稳定性能。此外，显存区域也采用了铜片散热设计，显示英伟达对散热性能的高度重视。
