【发现者网】1月12日消息，随着人工智能技术的不断演进，市场对高性能内存的需求日益迫切。为满足特定应用的需求，三星正积极推出全新的存储组合产品。
据发现者网了解，三星目前正在积极研发一款名为LLW DRAM的创新型存储器。这款存储器融合了高带宽、低延迟和低功耗三大优势，旨在支持运行大型语言模型(LLM)的设备，并有望广泛应用于各种客户端工作负载中。
LLW DRAM作为一种先进的低功耗内存解决方案，其亮点在于提供了宽I/O接口和低延迟特性，每个模块或堆栈的带宽高达128GB/s，与128位DDR5-8000内存子系统的带宽相媲美。此外，LLW DRAM还实现了惊人的1.2pJ/bit超低功耗，尽管三星尚未透露在此功耗下的具体数据传输速度。
有消息称，LLW DRAM的设计可能借鉴了GDDR6W的技术，并采用扇出晶圆级封装(FOWLP)技术，将多个DRAM芯片集成在一个封装内，从而提高了集成度和性能。目前，三星已经公布了LLW DRAM的预期性能细节，业界普遍认为这款产品已经进入了开发阶段的尾声，距离正式面世指日可待。
